1. Az abszolút zéró kelvin közeli hőmérsékleten a félvezetők szigetelők.
2. A hőmérséklet növekedése hatására a félvezetők ellenállása csökken.
3. Az anyagnak az a tulajdonsága, amely miatt külső elektromos mező hatására szabad elektronok mozoghatnak benne a külső elektromos térrel ellentétes irányban.
4. Az elektronok és a lyukak a kétféle töltéshordozók a félvezetőben.
5. A technikai áram: a pozitív töltések áramlása a pozitív elektródtól a feszültségforrás negatív elektródja felé.
6. Az elektromos áram a töltéshordozók (főleg elektronok) rendezett, tartós áramlása külső elektromos mező hatására.
7. A töltéshordozó töltéssel rendelkező részecske: pl. elektron, lyuk, ion.
8. Az kristályban lévő elektron hiányát lyuknak nevezzük.
9. A tiszta félvezetőket sajátfélvezetőknek nevezzük.
10. 14
11. Négy vegyértékelektronja van.
12. Az elektronmozgás által létrehozott áramot nevezzük elektronáramnak nevezzük.
13. Az lyuk mozgása által okozott áramot nevezzük lyukáramnak nevezzük
14. Olyan félvezetőket, amelyekhez szennyezőatomokat adtak.
15. Három- vagy ötvegyértékű atomokkal szennyezik a félvezető kristályokat.
16. Ötvegyértékű
17. N-típusú szennyezőatom pl. foszfor, arzén, ón.
18. Három vegyértékelektronja van egy p-típusú szennyezőatomnak.
19. P-típusú szennyezőatom pl. a bór, gallium, alumínium.
20. Szabad elektronok a többségi töltéshordozó az n-típusú félvezetőkben.

21. Lyukak a kisebbségi töltéshordozók az n-típusú félvezetőkben.
22. Lyukak a többségi töltéshordozó az p-típusú félvezetőkben.
23. A szabad elektronok a kisebbségi töltéshordozók a p-típusú félvezetőkben
24. Azt a folyamatot, amely során szabad elektron és lyukpárok keletkeznek.
25. Azt a folyamatot, amelyben a szabad elektronok befogódnak a lyukban. A szabad elektronok gerjesztett állapotból alapállapotba kerülnek a kristályban.
26. A rekombinációt fény(foton)kibocsátás kíséri.
27. A záróréteg (másképpen határréteg) a p- és n-szennyezett félvezető anyag érintkezésénél létrejövő, szabad töltéshordozóban szegény réteg.
28. A dióda p- és n-szennyezett félvezetőrétegből álló eszköz, amely két kivezetéssel rendelkezik, és amely az egyik irányban átengedi az elektromos áramot, a másik irányba nem engedi át.
29. A belső térerősség a zárórétegben jön létre: a pozitív többlettöltéssel rendelkező n-típusú határrétegből mutat a negatív töltéstöbblettel rendelkező p-típusú határréteg irányába.
30. A küszöbfeszültség az a legkisebb feszültség, amely hatására a zárórétegen keresztül megindul az elektromos áram.
31. A dióda nyitó irányú kapcsolása azt jelenti, hogy a dióda p-szennyezett rétegét a feszültségforrás pozitív, amíg az n-szennyezett rétegét a feszültségforrás negatív potenciálú elektródájára kapcsoljuk, aminek következtében a diódán áram folyik keresztül.
32. A dióda záró irányú kapcsolása azt jelenti, hogy a dióda p-szennyezett rétegét a feszültségforrás negatív, amíg az n-szennyezett rétegét a feszültségforrás pozitív potenciálú elektródájára kapcsoljuk, aminek következtében a diódán nem folyik keresztül áram.
33. A szilícium-félvezető kristálynak nagyobb a küszöbfeszültsége, mert a harmadik vegyértékhéjon lévő elektronok nehezebben gerjeszthetők, mint a germánium negyedik elektronhéján lévő vegyértékelektronjai.
34. Távirányító, TV, telefon, számítógép stb.